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高純度化学研究所 元素記号  In の試薬リスト

製品ID 製品名 純度 容量    
INE04PB In インジウム 4N 1 kg  
別名: indium, powder, 【目開値】150 micrometer pass 粉末,【目開値】150マイクロメートル以下  
INE05PB In インジウム 4N 1 kg  
別名: indium, powder, 【目開値】75 micrometer pass 粉末,【目開値】75マイクロメートル以下  
INE06PB In インジウム 4N 1 kg  
別名: indium, powder, 【目開値】45 micrometer pass 粉末,【目開値】45マイクロメートル以下  
INE02GB In インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium, grains, shots, 3〜6 mm 粒,ショット状,3〜6 mm   
INE08GB In インジウム 4N 25 g  
別名: indium, grains, wire-cutted, dia. ca. φ2 mm×L 5〜10 粒,ワイヤーカット品  
INE04GB In インジウム 5N 100 g 又は 500 g  
別名: indium, grains, shots, 1〜2 mm 粒,ショット状,1〜2 mm  
INE09GB In インジウム 4N ask  
別名: indium, grains, shots, 2〜3 mm 粒,ショット状,2〜3 mm  
INE05GB In インジウム 5N ask  
別名: indium, grains, shots, 2〜3 mm 粒,ショット状,2〜3 mm   
INE06GB In インジウム 5N ask  
別名: indium, grains, shots, 3〜6 mm ショット,3〜6 mm  
INE07GB In インジウム 6N 100 g  
別名: indium, grains, shots, 3〜6 mm ショット,3〜6 mm 【参考】蒸着条件(例)Evap. Temp. Range: 800〜1200℃ Evap. Source: W, Mo (See p. 289, 538)  
INE01WB In インジウム 4N 10 m  
別名: indium, wire, 1 mm dia. ワイヤー,φ1 mm  
INE02WB In インジウム 4N 10 m  
別名: indium, wire, ca. 2 mm dia. ワイヤー,約φ2 mm  
INE01RB In インジウム 4N 20 p  
別名: indium, tablet, 10 dia. ×t 5 タブレット,φ10 ×t 5  
INE02RB In インジウム 4N 10 p  
別名: indium, tablet, 20 dia. ×t 5 タブレット,φ20 ×t 5  
INE01CB In インジウム 4N 20 p  
別名: indium, chips, 5×5×t 1 チップ,5×5×t 1  
INE02CB In インジウム 4N 20 p  
別名: indium, chips, 10×10×t 1 チップ,10×10×t 1  
INE01SB In インジウム 4N Ask お問い合せ下さい  
別名: indium, metal sheet, 100×100×t 1 シート,100×100×t 1  
INE02SB In インジウム 4N Ask お問い合せ下さい  
別名: indium, metal sheet, 100×100×t 0.5 シート,100×100×t 0.5  
In インジウム (4N)φ101.6×t 5  φ152.4×t 5  
別名: indium, metal target, various sizes ターゲット,各種サイズを承っております。  
In-Mg (51.3: 48.7%) インジウム・マグネシウム合金 Ask お問い合せ下さい  
別名: indium-magnesium alloy, lumps 塊状  
INA01GB In-Sn (95: 5%) インジウム・錫合金 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium-tin alloy, shots ショット状  
INA02GB In-Sn (52.0: 48.0%) インジウム・錫合金 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium-tin alloy, lumps, m. p. 117° 塊状  
INO02PB In2O3 酸化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium oxide, ca. 4 micrometer, M. W. 277.64, d. 7.18 粉末,平均粒径約4マイクロメートル   
INO04PB In2O3 酸化インジウム 5N 100 g 又は 500 g  
別名: indium oxide, powder, M. W. 277.64, d. 7.18 粉末  
INO01GB In2O3 酸化インジウム 3N7 100 g 又は 500 g  
別名: indium oxide, grains, 2〜7mm, irregular, M.W. 277.64, d. 7.18 粒状,2〜7 mm,不定形  
INO02GB In2O3 酸化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium oxide, grains, 2〜7mm, irregular, M.W. 277.64, d. 7.18 粒状,2〜7 mm,不定形  
INO03GB In2O3 酸化インジウム 5N 100 g 又は 500 g  
別名: indium oxide, grains, 2〜7mm, irregular, M.W. 277.64, d. 7.18 粒状,2〜7 mm,不定形  
In2O3 酸化インジウム (4N)φ10×t 5 20 p  φ20×t 5 10  
別名: indium oxide, rod, talet & target, various sizes ロッド・タブレット及びターゲット,各種サイズを承っております。  
In2O3−SnO2 インジウム・錫酸化物 (4N)SnO2(5%)φ10×t 5 20 p  φ20  
別名: indium-tin oxide, rod, tablet & target, various forms & sizes ロッド,タブレット及びターゲット,各種形状・サイズを承っております。  
INF01PB In2O3−SnO2 (95: 5%) 酸化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium-tin oxide, ITO, powder (酸化第二錫5% ドープ),粉末  
INF02GB In2O3−SnO2 (95: 5%) 酸化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium-tin oxide, ITO, lumps (酸化第二錫5% ドープ),塊状  
INF03PB InFeO3 インジウム・鉄酸化物 4N Ask  
別名: indium-iron oxide, powder, M. W. 218.61 粉末,固相反応  
INF04GB InFeO3 インジウム・鉄酸化物 4N Ask  
別名: indium-iron oxide, lumps, M. W. 218.61 塊状,固相反応  
INF07PB In2O3・Fe2O3 インジウム・鉄酸化物 3N 500 g  
別名: indium-iron oxide, powder (by co-precip. method) 粉末(共沈法による)  
INF08PB Mgln2O4 インジウム酸マグネシウム 3N 100 g 又は 500 g  
別名: magnesium indate (indium-magnesium spinel), powder, M. W. 217.96 (インジウム・マグネシウム・スピネル)粉末  
In2O3−SnO2 インジウム・錫酸化物 (4N)SnO2(5%)φ10×t 5 20 p  φ20  
別名: indium-tin oxide, rod, tablet & target, various sizes 各種サイズのロッド,タブレット及びターゲットを承っております。   
INH01XB InBr3 (metal base) 臭化インジウム 4N 25 g 又は 100 g  
別名: indium bromide, anhydrous, M. W. 354.55, d. 4.74 無水,m. p. 約435,溶解性(溶)  
INH02XB InCl3・xH2O 塩化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium chloride, hydrous, M. W. 293.26 (4H2O) 含水,m. p.(分):−XH2O,溶解性(溶)  
INH03XB InCl3 塩化インジウム 4N 25 g  
別名: indium chloride, anhydrous, M. W. 221.18, d. 3.46 無水,m. p. 440°,溶解性(溶),(溶)微:EtOH, Et2O,潮解性  
INH05XB InF3・xH2O フッ化インジウム 3N 25 g 又は 100 g  
別名: indium fluoride, hydrous, M. W. 225.86 (3H2O) 含水,m. p. −xH2O : ca. 100°  
INH06XB InF3 フッ化インジウム 2Nup 25 g 又は 100 g  
別名: indium fluoride, anhydrous, M. W. 171.8 無水,m. p. ca. 1170,b. p. <1200  
INH07XB Inl3 (metal base) ヨウ化インジウム 4N 25 g  
別名: indium iodide, anhydrous, M. W. 495.53, d. 4.69 無水,m. p. 210°  
INH08XB In (NO3)3・xH2O 硝酸インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium nitrate, hydrous, M. W. (300.83) 含水,m. p. −2H2O : 100, b. p.(分),溶解性(易)  
INH09XB In2 (SO4)3・xH2O 硫酸インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium sulfate, hydrous, M. W. 680.08 (9H2O) 含水,潮解性,m. p. 250°(分),溶解性(易)  
INH10XB In2 (SO4)3 硫酸インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium sulfate, anhydrous, M. W. 517.84, d. 3.438 無水,潮解性,m. p. 600°(分),溶解性(溶)  
INI01PB InAs (metal base) 砒化インジウム 5N 25 g  
別名: indium arsenide, powder, M. W. 189.74, d. 5.7 粉末,m. p. 943°  
INI02GB InAs (metal base) 砒化インジウム 5N 25 g  
別名: indium arsenide, lumps, M. W. 189.74, d. 5.7 塊状,m. p. 943°  
INI03PB InP (metal base) リン化インジウム 3N Ask  
別名: indium phosphide, powder, M. W. 145.79 粉末,m. p. 1070°  
INI04PB InP (metal base) リン化インジウム 5N 25 g  
別名: indium phosphide, powder, M. W. 145.79 粉末,m. p. 1070°  
INI05GB InP (metal base) リン化インジウム 5N 25 g  
別名: indium phosphide, lumps, M. W. 145.79 塊状,m. p. 1070°  
INI06PB InS 硫化インジウム(?) 4N 25 g  
別名: indium (?) sulfide, powder, M. W. 146.88 粉末  
INI07GB InS 硫化インジウム(?) 4N 25 g  
別名: indium (?) sulfide, lumps, M. W. 146.88 塊状  
INI08PB In2S3 硫化インジウム(?) 4N 25 g 又は 100 g  
別名: indium (?) sulfide, powder, M. W. 325.84, d. 4.45 粉末   
INI09GB In2S3 硫化インジウム(?) 4N 25 g 又は 100 g  
別名: indium (?) sulfide, lumps, M. W. 325.84, d. 4.45 塊状   
INI10PB InSb アンチモン化インジウム 【劇】 5N 25 g  
別名: indium antimonide, powder, M. W. 236.57, d. 5.76 粉末,m. p. 525°  
INI11GB InSb アンチモン化インジウム 【劇】 5N 25 g  
別名: indium antimonide, lumps, M. W. 236.57, d. 5.76 塊状,m. p. 525°  
INI12PB InSe セレン化インジウム(?) 【毒】 4N 25 g  
別名: indium (?) selenide, powder, M. W. 193.78 粉末  
INI13GB InSe セレン化インジウム(?) 【毒】 4N 25 g  
別名: indium (?) selenide, lumps, M. W. 193.78 塊状  
INI14PB In2Se セレン化インジウム 【毒】 3Nup 25 g  
別名: indium selenide, powder, M. W. 308.60 粉末  
INI15GB In2Se セレン化インジウム 【毒】 3Nup 25 g  
別名: indium selenide, grains, M. W. 308.60 粒状  
INI16PB In2Se3 セレン化インジウム(?) 【毒】 3Nup 25 g  
別名: indium (?) selenide, powder, M. W. 466.52, d. 5.67 粉末,m. p. ca. 900°  
INI17GB In2Se3 セレン化インジウム(?) 【毒】 4N 25 g  
別名: indium (?) selenide, lumps, M. W. 466.52, d. 5.67 塊状,m. p. ca. 900°  
INI18PB InTe テルル化インジウム(?) 【注】 4N 25 g  
別名: indium (?) telluride, powder, M. W. 242.42 粉末  
INI19GB InTe テルル化インジウム(?) 【注】 4N 25 g  
別名: indium (?) telluride, lumps, M. W. 242.42 塊状  
INI20PB InTe テルル化インジウム(?) 【注】 5N 25 g  
別名: indium telluride, powder, M. W. 242.42 粉末  
INI21GB InTe テルル化インジウム 【注】 5N 25 g  
別名: indium telluride, lumps, M. W. 242.42 塊状  
INI22PB In2Te3 テルル化インジウム(?) 4N 25 g  
別名: indium (?) telluride, powder, M. W. 612.44, d. 5.8 粉末  
INI23GB In2Te3 テルル化インジウム(?) 4N 25 g  
別名: indium (?) telluride, lumps, M. W. 612.44, d. 5.8 塊状  
INI24PB In (OH)3 水酸化インジウム 4N 100 g 又は 500 g  
別名: indium hydroxide, powder, M. W. 165.84 粉末,m. p. −H2O:<150°,溶解性(不) 【参考】蒸着条件(例) InAs: Evap. Temp. Range: 600〜1000℃ Evap. Source: W (See p. 538) In2Se3: Evap. Temp. Range: 800〜1200℃ In2Te3: Evap. Temp. Range: 400〜800℃  
INR03GB approx. In (O-i-C3H7)3 トリ-i-プロポキシインジウム 3N 25 g  
別名: indium tri-i-propoxide, solid, M. W. 291.84 淡黄色固体 不揮発性   
INK01LB In-05 In2O3コート材料 100 ml  
別名: 酸化物濃度5%,赤褐色液体  
INK02LB ITO-05C In2O3-SnO2コート材料 100 ml  
別名: 酸化物濃度5%,黄褐色液体  
INS01LB SYM-IN02 InO1.5コート材料 100 ml  
別名: 酸化物濃度0.2 mol/?,黄色液体  


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